铜箔系列中间体

QS 多肽蛋白         

性状：白色或淡黄色粉末

作用与机理：

QS是本公司定制的专用于电解标箔和锂电箔用的多肽蛋白，分子量2000-3000，其在电解液中具有较强的抑制作用，使电解的铜箔有整平光亮效果，能消除铜箔脆性，防止翘曲。单台机电流22000A 24小时参考用量：300-800g;

QS含量偏高会导致：铜箔毛面结晶粗糙，平滑度变差，阴极辊易氧化，铜箔毛面峰型不均，解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。

QS含量偏低会导致：铜箔毛面峰值高，铜箔光泽度下降，毛面容易发花，拉箔时容易出现撕边现象，铜箔易翘曲，解决方法为增加QS添加量。

SPS 聚二硫二丙烷磺酸钠

性状：白色粉末

作用与机理：

SPS是本公司定制的专用于电解锂电箔用的促进剂，产品纯度高，无氯离子等副产物，使电解的铜箔有晶粒细化整平光亮、防毛刺产生效果。单台机22000A 24小时参考用量：260-900g;

SPS含量偏高会导致：铜箔内应力过高，铜箔抗拉强度衰变加快，铜箔光泽度过高，严重过量为箔面发花变脆产生针孔，解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。

SPS含量偏低会导致：铜箔光泽度下降至铜箔表面出现竖状发粗条纹，铜箔结晶变粗，生箔时铜箔边部易出现毛刺生箔时容易产生撕边现象，解决方法为增加S添加量。

AESS 脂肪胺聚氧乙烯醚

性状：棕黄色液体

作用与机理：

AESS是一种抑制剂，电解液中重要的基础润湿剂，具有较好的消除针孔效果，可完全替代P，多加不降低铜箔延展率。单台机22000A 24小时参考用量：250-500g;

AESS含量偏高导致：铜箔光泽度反而下降，铜箔毛面张力大，达因笔检测不通过，解决方法为减少添加量和大电流电解消耗。

AESS含量偏低导致：生箔时阴极辊润湿性差，铜箔表面易出现针孔，解决方法为增加添加量。

MDD 硫代甲酰胺基钠盐

性状：白色粉末或片状物

作用与机理：

MDD是本公司电解锂电箔用的促进剂，具有晶粒细化作用，光亮度效果没有SPS强，通常取代部分SPS使用，具有降低铜箔亮度作用。

MDD含量偏高导致：铜箔脆性变大，亮度减少，延伸率降低明显，解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。

MDD含量偏低导致：铜箔毛面颗粒感增加，沉晶粗，解决方法为增加添加量。

单台机22000A 24小时参考用量：200-500g;

MDN 抗拉提升剂

性状：白色结晶体

作用与机理：

MDN具有整平、光亮作用，适当添加能提高电解铜箔的烘烤抗拉强度。

MDN含量偏高导致：铜箔脆性变大，亮度增加，毛刺和烧焦增加，延伸率降低明显，解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。

MDN含量偏低导致：铜箔抗拉强度无明显提升，解决方法为增加添加量。

单台机22000A 24小时参考用量：50-200g;

MDT-100改性聚醚

性状：淡黄色液体

作用与机理：

MDT-100是一款特殊合成的非离子表面活性剂，可以使各单体在电解液中分散的更加均匀，使各单体更好的发挥作用，从而使铜在阴极辊上均匀沉积。MDT-100与其他表面活性剂不同的地方是，用量范围特别宽，当电解液中有强整平剂存在的情况下，添加MDT-100不容易使铜箔变的很亮，对由于强整平剂引起的翘曲也有较好的抑制效果，退火后抗拉强度变化很小。所以它特别适合与高抗剂配合使用，用于高抗高延配方中。建议电解液中参考用量5-8PPM。

QE 纤维素

性状：白色或淡黄色粉末

作用与机理：

QE是本公司定制的专用于电解标箔和锂电箔用的低粘度纤维，提高铜箔的平滑度，适量添加可降低电解铜箔毛面Rz值，提升铜箔的延伸率。单台机电流22000A 24小时参考用量：80-400g;

QE含量偏高会导致：铜箔卷曲，毛面结晶粗糙，阴极辊易氧化，污液罐泡沫增多，解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。

QE含量偏低会导致：铜箔延伸率偏低，平滑度变差。解决方法为增加添加量。

MDH 抗拉提升剂

性状：白色结晶体

作用与机理：

MDH具有整平、快速提升亮度作用，适当添加能提高电解铜箔的烘烤抗拉强度。

MDH含量偏高导致：铜箔毛面出现条纹，亮度超亮，毛刺和烧焦增加，延伸率降低明显，解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。

MDH含量偏低导致：铜箔抗拉强度无明显提升，解决方法为增加添加量。

单台机22000A 24小时参考用量：30-80g;