铜箔系列中间体
QS 多肽蛋白
性状:白色或淡黄色粉末
作用与机理:
QS是本公司定制的专用于电解标箔和锂电箔用的多肽蛋白,分子量2000-3000,其在电解液中具有较强的抑制作用,使电解的铜箔有整平光亮效果,能消除铜箔脆性,防止翘曲。单台机电流22000A 24小时参考用量:300-800g;
QS含量偏高会导致:铜箔毛面结晶粗糙,平滑度变差,阴极辊易氧化,铜箔毛面峰型不均,解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。
QS含量偏低会导致:铜箔毛面峰值高,铜箔光泽度下降,毛面容易发花,拉箔时容易出现撕边现象,铜箔易翘曲,解决方法为增加QS添加量。
SPS 聚二硫二丙烷磺酸钠
性状:白色粉末
作用与机理:
SPS是本公司定制的专用于电解锂电箔用的促进剂,产品纯度高,无氯离子等副产物,使电解的铜箔有晶粒细化整平光亮、防毛刺产生效果。单台机22000A 24小时参考用量:260-900g;
SPS含量偏高会导致:铜箔内应力过高,铜箔抗拉强度衰变加快,铜箔光泽度过高,严重过量为箔面发花变脆产生针孔,解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。
SPS含量偏低会导致:铜箔光泽度下降至铜箔表面出现竖状发粗条纹,铜箔结晶变粗,生箔时铜箔边部易出现毛刺生箔时容易产生撕边现象,解决方法为增加S添加量。
AESS 脂肪胺聚氧乙烯醚
性状:棕黄色液体
作用与机理:
AESS是一种抑制剂,电解液中重要的基础润湿剂,具有较好的消除针孔效果,可完全替代P,多加不降低铜箔延展率。单台机22000A 24小时参考用量:250-500g;
AESS含量偏高导致:铜箔光泽度反而下降,铜箔毛面张力大,达因笔检测不通过,解决方法为减少添加量和大电流电解消耗。
AESS含量偏低导致:生箔时阴极辊润湿性差,铜箔表面易出现针孔,解决方法为增加添加量。
MDD 硫代甲酰胺基钠盐
性状:白色粉末或片状物
作用与机理:
MDD是本公司电解锂电箔用的促进剂,具有晶粒细化作用,光亮度效果没有SPS强,通常取代部分SPS使用,具有降低铜箔亮度作用。
MDD含量偏高导致:铜箔脆性变大,亮度减少,延伸率降低明显,解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。
MDD含量偏低导致:铜箔毛面颗粒感增加,沉晶粗,解决方法为增加添加量。
单台机22000A 24小时参考用量:200-500g;
MDN 抗拉提升剂
性状:白色结晶体
作用与机理:
MDN具有整平、光亮作用,适当添加能提高电解铜箔的烘烤抗拉强度。
MDN含量偏高导致:铜箔脆性变大,亮度增加,毛刺和烧焦增加,延伸率降低明显,解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。
MDN含量偏低导致:铜箔抗拉强度无明显提升,解决方法为增加添加量。
单台机22000A 24小时参考用量:50-200g;
MDT-100改性聚醚
性状:淡黄色液体
作用与机理:
MDT-100是一款特殊合成的非离子表面活性剂,可以使各单体在电解液中分散的更加均匀,使各单体更好的发挥作用,从而使铜在阴极辊上均匀沉积。MDT-100与其他表面活性剂不同的地方是,用量范围特别宽,当电解液中有强整平剂存在的情况下,添加MDT-100不容易使铜箔变的很亮,对由于强整平剂引起的翘曲也有较好的抑制效果,退火后抗拉强度变化很小。所以它特别适合与高抗剂配合使用,用于高抗高延配方中。建议电解液中参考用量5-8PPM。
QE 纤维素
性状:白色或淡黄色粉末
作用与机理:
QE是本公司定制的专用于电解标箔和锂电箔用的低粘度纤维,提高铜箔的平滑度,适量添加可降低电解铜箔毛面Rz值,提升铜箔的延伸率。单台机电流22000A 24小时参考用量:80-400g;
QE含量偏高会导致:铜箔卷曲,毛面结晶粗糙,阴极辊易氧化,污液罐泡沫增多,解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。
QE含量偏低会导致:铜箔延伸率偏低,平滑度变差。解决方法为增加添加量。
MDH 抗拉提升剂
性状:白色结晶体
作用与机理:
MDH具有整平、快速提升亮度作用,适当添加能提高电解铜箔的烘烤抗拉强度。
MDH含量偏高导致:铜箔毛面出现条纹,亮度超亮,毛刺和烧焦增加,延伸率降低明显,解决方法为减少添加量、增加碳吸附和大电流电解消耗。
MDH含量偏低导致:铜箔抗拉强度无明显提升,解决方法为增加添加量。
单台机22000A 24小时参考用量:30-80g;
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